Разработка Toshiba в области транзисторов
Sep. 10th, 2014 06:19 pm![[personal profile]](https://www.dreamwidth.org/img/silk/identity/user.png){kind=small}
mdmxпозволит создать микрокомпьютеры со сверхмалым энергопотреблением
10.09.2014 08:18
Специалисты Toshiba разработали технологию транзисторов, которая позволит создать микрокомпьютеры со сверхмалым энергопотреблением. Как утверждается, их энергопотребление можно будет уменьшить на 90% по сравнению с существующими образцами. При этом для изготовления микросхем используется техпроцесс, подобный нынешнему техпроцессу CMOS.
Речь идет о туннельном полевом транзисторе (TFET). Он переключается между закрытым и открытым состояниями за счет межзонного туннелирования электронов. По сравнению с MOSFET, TFET может работать при гораздо меньшем напряжении — менее 0,5 В. Кроме того, для TFET характерно очень низкое значение тока утечки — в 100 раз меньше, чем у MOSFET. Низкое напряжение питания и малый ток утечки определяют низкое энергопотребление в активном режиме и в режиме ожидания соответственно.
В Toshiba рассчитывают выпустить микрокомпьютер, в котором найдет применение указанная технология, в 2017 году. Предполагается, что такие микрокомпьютеры будут востребованы в носимой электронике и других устройствах с батарейным питанием, а также в сетях датчиков.
Разработка будет представлена на мероприятии SSDM 2014, которое сейчас проходит Японии.
Источник: http://pcnews.ru/news/razrabotka_toshiba_v_oblasti_tranzistorov_pozvolit_sozdat_mikrokomputery_so_sverhmalym_energopotrebleniem-564447.html
10.09.2014 08:18
Специалисты Toshiba разработали технологию транзисторов, которая позволит создать микрокомпьютеры со сверхмалым энергопотреблением. Как утверждается, их энергопотребление можно будет уменьшить на 90% по сравнению с существующими образцами. При этом для изготовления микросхем используется техпроцесс, подобный нынешнему техпроцессу CMOS.
Речь идет о туннельном полевом транзисторе (TFET). Он переключается между закрытым и открытым состояниями за счет межзонного туннелирования электронов. По сравнению с MOSFET, TFET может работать при гораздо меньшем напряжении — менее 0,5 В. Кроме того, для TFET характерно очень низкое значение тока утечки — в 100 раз меньше, чем у MOSFET. Низкое напряжение питания и малый ток утечки определяют низкое энергопотребление в активном режиме и в режиме ожидания соответственно.
В Toshiba рассчитывают выпустить микрокомпьютер, в котором найдет применение указанная технология, в 2017 году. Предполагается, что такие микрокомпьютеры будут востребованы в носимой электронике и других устройствах с батарейным питанием, а также в сетях датчиков.
Разработка будет представлена на мероприятии SSDM 2014, которое сейчас проходит Японии.
Источник: http://pcnews.ru/news/razrabotka_toshiba_v_oblasti_tranzistorov_pozvolit_sozdat_mikrokomputery_so_sverhmalym_energopotrebleniem-564447.html
